（修改）济南晶正电子科技有限公司成立于2010年, 坐落于济南综合保税区，是一家致力于光电晶体薄膜材料研发、生产及销售为一体的高新技术企业。公司拥有产业化生产基地以及中美晶体薄膜材料合作研究中心，研发团队由海归学者领军，在国际上率先开发出300-700纳米厚度铌酸锂单晶薄膜材料产品，可用于制作调制器、滤波器及高密度信息存储器件等，在压电、铁电、红外探测等领域具有广泛应用前景，可极大提高光通讯系统的传输能力和集成度，能够带来巨大经济效益和社会效益。 目前产品已进入包括剑桥大学、哈佛大学、耶鲁大学、波兰科学院、清华大学等多所科研机构及企业。在未来的发展中，公司将以铌酸锂单晶薄膜产品为龙头，建成面向全球的铌酸锂单晶薄膜系列产品生产、研发基地，逐步开发世界先进的光电晶体材料以及下游元器件产品，提升产业核心竞争力，创立世界一流品牌，打造一流国际化企业。

产品系列

铌酸锂单晶薄膜产品
铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛,
最重要的基片材料之一。目前, 铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、
光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,
这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。

晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的优秀物理性质, 直径为3英寸,
上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 
中层为2微米厚的二氧化硅（SiO2）, 最下层为0.5毫米厚的铌酸锂芯片衬底。

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